Измерена проводимость σ в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в интервале температур 0,5-1,7 К в широкой области плотностей электронов n. Показано, что величина σ/ne (е - заряд электрона) вначале увеличивается ...

Впеpвые экспеpиментально pеализована уникальная одномеpная система, состоящая из линейных электpонных цепочек на повеpхности жидкого гелия. Для создания системы использован эффект искpивления повеpхности жидкого гелия, ...

Экспериментально исследована зависимость подвижности электронов, локализованных в двумерном за­ряженном слое на поверхности жидкого ге)лия, от ведущего электрической) поля при темпера турах ниже 1 К в области электрон-риплонного ...

Исследованы резонансные особенности в проводимости вигнеровского кристалла с поверхностной плотностью заряда 6*10⁸ см⁻² при температуре 75 мК в области частот 1-20 МГц в зависимости от амплитуды возбуждающего сигнала. ...

Исследован энергетический спектр электронов, локализованных в цилиндрических наноканалах, покрытых толстым слоем твердого водорода или неона. Определен потенциал взаимодействия электрона с окружающим веществом. Разработан ...

Измерена проводимость носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в температурном интервале 0,5-1,9 К в прижимающих электрических полях до 4 кВ/см на частоте 1,1 МГц. Квазиодномерные каналы реализовывались ...

Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов ...

В области температур 70-600 мК экспериментально исследованы электрон-риплонные колебания в вигнеровском кристалле на поверхности жидкого гелия при концентрации зарядов 1,3 * 10⁹ см⁻². Частота и ширина линий резонансов, ...